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半导体结构的制备方法及其半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310938733.9
申请日：
2023-07-28
公开(公告)号：
CN118800654A
公开(公告)日：
2024-10-18
发明(设计)人：
庄英政
申请人：
南亚科技股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新北市
IPC主分类号：
H01L21/3105
IPC分类号：
H01L21/304
H10B12/00
H10B10/00
H01L21/768
H01L23/522
H01L23/528
H01L23/535
代理机构：
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人：
李南山
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-10-18 | 公开 | 公开 |
| 2024-11-05 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3105申请日:20230728 |