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半导体结构的制备方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410294585.6
申请日：
2024-03-15
公开(公告)号：
CN117894676B
公开(公告)日：
2024-05-28
发明(设计)人：
舒思桅
张城
胡龙辉
申请人：
粤芯半导体技术股份有限公司
申请人地址：
510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
IPC主分类号：
H01L21/3065
IPC分类号：
H01L21/02
H01L29/06
代理机构：
苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502
代理人：
李洋;李丹
法律状态：
授权
国省代码：
广东省
广州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-05-28 | 授权 | 授权 |
| 2024-04-16 | 公开 | 公开 |
| 2024-05-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3065申请日:20240315 |