半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610365955.6
申请日
2016-05-27
公开(公告)号
CN106024972B
公开(公告)日
2016-10-12
发明(设计)人
王子巍 肖磊 王敬 梁仁荣 许军
申请人
申请人地址
100084 北京市海淀区100084-82信箱
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L310264 H01L2102
代理机构
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人
李志东
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P]. 
王子巍 ;
肖磊 ;
王敬 ;
梁仁荣 ;
许军 .
中国专利 :CN106057642B ,2016-10-26
[2]
半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P]. 
肖磊 ;
王子巍 ;
王敬 ;
梁仁荣 ;
许军 .
中国专利 :CN106057643A ,2016-10-26
[3]
半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P]. 
王子巍 ;
肖磊 ;
王敬 ;
梁仁荣 ;
许军 .
中国专利 :CN106057641A ,2016-10-26
[4]
半导体结构的制备方法及其半导体结构 [P]. 
庄英政 .
中国专利 :CN118800654A ,2024-10-18
[5]
半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P]. 
王子巍 ;
肖磊 ;
王敬 ;
梁仁荣 .
中国专利 :CN105977136A ,2016-09-28
[6]
半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P]. 
肖磊 ;
王子巍 ;
王敬 ;
梁仁荣 .
中国专利 :CN105914258B ,2016-08-31
[7]
半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P]. 
肖磊 ;
王子巍 ;
王敬 ;
梁仁荣 .
中国专利 :CN106057640A ,2016-10-26
[8]
半导体结构的制备方法及其半导体结构 [P]. 
庄英政 .
中国专利 :CN118800721A ,2024-10-18
[9]
半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P]. 
周维杰 ;
常靖华 .
中国专利 :CN119866047A ,2025-04-22
[10]
半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P]. 
白杰 .
中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01