半导体结构以及制备半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610365953.7

申请日：

2016-05-27

公开(公告)号：

CN105914258B

公开(公告)日：

2016-08-31

发明(设计)人：

肖磊王子巍王敬梁仁荣

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084-82信箱

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

李志东

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101680685565 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2016103659537 申请日:20160527
2018-06-22	授权	授权
2016-08-31	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P].

王子巍 ;

肖磊 ;

王敬 ;

梁仁荣 .

中国专利 :CN105977136A ,2016-09-28

[2]

半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P].

肖磊 ;

王子巍 ;

王敬 ;

梁仁荣 .

中国专利 :CN106057640A ,2016-10-26

[3]

半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P].

王子巍 ;

肖磊 ;

王敬 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN106057642B ,2016-10-26

[4]

半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

王子巍 ;

梁仁荣 .

中国专利 :CN106024584A ,2016-10-12

[5]

半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P].

肖磊 ;

王子巍 ;

王敬 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN106057643A ,2016-10-26

[6]

半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P].

王子巍 ;

肖磊 ;

王敬 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN106057641A ,2016-10-26

[7]

半导体结构以及制备方法 [P].

王敬 ;

孙川川 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN106373870A ,2017-02-01

[8]

半导体结构以及制备方法 [P].

王敬 ;

孙川川 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN106783616B ,2017-05-31

[9]

半导体结构、半导体装置以及半导体结构的制备方法 [P].

汪秀山 .

中国专利 :CN118919506A ,2024-11-08

[10]

半导体结构的制备方法、以及半导体结构 [P].

吴恒 ;

王润声 ;

黎明 ;

卢浩然 ;

黄如 .

中国专利 :CN117116942B ,2024-10-01

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