半导体结构以及制备半导体结构的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610366292.X
申请日
2016-05-27
公开(公告)号
CN106057641A
公开(公告)日
2016-10-26
发明(设计)人
王子巍 肖磊 王敬 梁仁荣 许军
申请人
申请人地址
100084 北京市海淀区100084-82信箱
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
H01L3118 H01L3300 H01L3316 H01L310392
代理机构
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人
李志东
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P]. 
肖磊 ;
王子巍 ;
王敬 ;
梁仁荣 ;
许军 .
中国专利 :CN106057643A ,2016-10-26
[2]
半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P]. 
王子巍 ;
肖磊 ;
王敬 ;
梁仁荣 ;
许军 .
中国专利 :CN106057642B ,2016-10-26
[3]
半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P]. 
王子巍 ;
肖磊 ;
王敬 ;
梁仁荣 .
中国专利 :CN105977136A ,2016-09-28
[4]
半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P]. 
王敬 ;
肖磊 ;
王子巍 ;
梁仁荣 .
中国专利 :CN106024584A ,2016-10-12
[5]
半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P]. 
肖磊 ;
王子巍 ;
王敬 ;
梁仁荣 .
中国专利 :CN105914258B ,2016-08-31
[6]
半导体结构以及制备半导体结构的方法 [P]. 
肖磊 ;
王子巍 ;
王敬 ;
梁仁荣 .
中国专利 :CN106057640A ,2016-10-26
[7]
半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用 [P]. 
王子巍 ;
肖磊 ;
王敬 ;
梁仁荣 ;
许军 .
中国专利 :CN106024972B ,2016-10-12
[8]
半导体结构以及制备方法 [P]. 
王敬 ;
孙川川 ;
梁仁荣 ;
许军 .
中国专利 :CN106449368A ,2017-02-22
[9]
半导体结构的制造方法以及相关半导体结构 [P]. 
比什-因·阮 ;
玛丽亚姆·萨达卡 ;
C·马勒维尔 .
中国专利 :CN105448665A ,2016-03-30
[10]
半导体结构、半导体装置以及半导体结构的制备方法 [P]. 
汪秀山 .
中国专利 :CN118919506A ,2024-11-08