半导体衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95194628.5

申请日：

1995-06-29

公开(公告)号：

CN1092839C

公开(公告)日：

1997-07-23

发明(设计)人：

P·C·斯佩登斯 M·A·沙尔特 M·J·哈劳 D·J·纽森

申请人：

申请人地址：

英国英格兰伦敦

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

董巍;萧掬昌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-10-16	授权	授权
1997-08-06	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1997-07-23	公开	公开
2006-08-30	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

半导体衬底的制备方法及半导体衬底 [P].

邱宇航 ;

周颖 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN109326516A ,2019-02-12

[2]

制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 [P].

魏星 ;

仰庶 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102299093A ,2011-12-28

[3]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[4]

半导体衬底装置、半导体器件及半导体衬底的加工方法 [P].

W·朗海因里希 ;

C·布克塔尔 ;

A·格拉茨 ;

N·哈措波洛斯 ;

K·科诺布罗施 ;

M·勒里希 ;

K·施塔伦贝格 ;

R·施特伦兹 ;

G·滕佩尔 .

中国专利 :CN105810721A ,2016-07-27

[5]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[6]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[7]

制备半导体衬底的方法 [P].

村上贤史 ;

森本信之 ;

西畑秀树 ;

远藤昭彦 .

中国专利 :CN101312125A ,2008-11-26

[8]

制备半导体衬底的方法 [P].

村上贤史 ;

森本信之 ;

西畑秀树 ;

远藤昭彦 .

中国专利 :CN100539025C ,2007-11-14

[9]

半导体衬底的制备方法 [P].

高晋文 ;

郭佳惠 ;

徐家骏 ;

黄峰 ;

张晨艳 .

中国专利 :CN119143077B ,2025-11-28

[10]

半导体衬底的制备方法 [P].

高晋文 ;

郭佳惠 ;

徐家骏 ;

黄峰 ;

张晨艳 .

中国专利 :CN119143077A ,2024-12-17

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