处理衬底的方法和衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180054221.1

申请日：

2011-11-08

公开(公告)号：

CN103201827A

公开(公告)日：

2013-07-10

发明(设计)人：

佩卡·劳卡宁约科·朗马尔科·蓬基宁马留卡·图奥米宁韦科·图奥米宁约翰尼·达尔尤哈尼·韦于吕宁

申请人：

申请人地址：

芬兰图尔库

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

吴小瑛;邹宗亮

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754218131 IPC(主分类):H01L 21/316 专利号:ZL2011800542211 登记生效日:20170606 变更事项:专利权人变更前权利人:图尔库大学变更后权利人:康普泰克解决方案公司变更事项:地址变更前权利人:芬兰图尔库变更后权利人:芬兰列托
2013-07-10	公开	公开
2013-10-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101526533281 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2011800542211 申请日:20111108
2016-11-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[2]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[3]

处理衬底的方法和设备 [P].

菲利普·加尼尔 .

中国专利 :CN101263584A ,2008-09-10

[4]

衬底处理系统,和衬底处理方法 [P].

郭信生 ;

王开安 .

中国专利 :CN102122599A ,2011-07-13

[5]

化合物半导体衬底、外延衬底、制造化合物半导体衬底和外延衬底的方法 [P].

西浦隆幸 ;

堀江裕介 ;

坪仓光隆 ;

大滨理 .

中国专利 :CN1877854A ,2006-12-13

[6]

衬底和用于制造衬底的方法 [P].

C·林贝特-里维埃 ;

G·特罗斯卡 ;

L·洛特施派希 ;

M·戈尔达默 ;

U·维尔克 ;

B·多梅斯 ;

L·博沃 .

德国专利 :CN119495568A ,2025-02-21

[7]

半导体衬底的表面处理方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102909639B ,2013-02-06

[8]

衬底的处理方法 [P].

城户秀作 .

中国专利 :CN101093790A ,2007-12-26

[9]

处理衬底的方法 [P].

刘泽铖 ;

吉田嵩志 ;

中野竜 ;

I.祖尔科夫 ;

Y.孙 ;

Y.F.汤姆查克 ;

D.德罗斯特 .

中国专利 :CN114724924A ,2022-07-08

[10]

处理半导体衬底的方法和装置 [P].

内德·莎玛 ;

理查德·怀斯 ;

游正义 ;

萨曼莎·坦 .

美国专利 :CN118519315A ,2024-08-20

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