处理半导体衬底的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410079218.4

申请日：

2018-05-15

公开(公告)号：

CN118519315A

公开(公告)日：

2024-08-20

发明(设计)人：

内德·莎玛理查德·怀斯游正义萨曼莎·坦

申请人：

朗姆研究公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/16 H01L21/02 H01L21/027 H01L21/033

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;张静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20180515
2024-08-20	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[2]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[3]

处理半导体衬底的方法和设备 [P].

E·邦德 .

英国专利 :CN120199686A ,2025-06-24

[4]

处理半导体衬底的方法和半导体芯片 [P].

K.卡斯帕尔 ;

F.马里亚尼 .

中国专利 :CN105810634B ,2016-07-27

[5]

处理半导体衬底的设备以及处理半导体衬底的方法 [P].

徐暐智 ;

庄凯麟 ;

简渊基 ;

杨政辉 ;

刘俊秀 .

中国专利 :CN106601649A ,2017-04-26

[6]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[7]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[8]

半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置 [P].

金子忠昭 ;

小岛清 .

中国专利 :CN114423888A ,2022-04-29

[9]

半导体的处理方法 [P].

黄德权 .

中国专利 :CN113345794A ,2021-09-03

[10]

半导体衬底的处理方法 [P].

赵伟 .

中国专利 :CN120210722A ,2025-06-27

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