处理半导体衬底的方法和设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410707418.X

申请日：

2024-06-03

公开(公告)号：

CN120199686A

公开(公告)日：

2025-06-24

发明(设计)人：

E·邦德

申请人：

SPTS科技有限公司

申请人地址：

英国新港

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01L21/67 H01J37/32

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

章蕾

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[2]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[3]

处理半导体衬底的设备以及处理半导体衬底的方法 [P].

徐暐智 ;

庄凯麟 ;

简渊基 ;

杨政辉 ;

刘俊秀 .

中国专利 :CN106601649A ,2017-04-26

[4]

处理半导体衬底的方法和装置 [P].

内德·莎玛 ;

理查德·怀斯 ;

游正义 ;

萨曼莎·坦 .

美国专利 :CN118519315A ,2024-08-20

[5]

用于处理半导体衬底的设备和方法 [P].

A·韦迪 ;

G·伯尼希 ;

N·厄施勒 ;

C·施塔尔胡特 .

中国专利 :CN109216234A ,2019-01-15

[6]

处理半导体衬底的方法和半导体芯片 [P].

K.卡斯帕尔 ;

F.马里亚尼 .

中国专利 :CN105810634B ,2016-07-27

[7]

半导体衬底处理设备 [P].

褚鑫辉 ;

陈新益 ;

杨雪 ;

王志刚 ;

汤剑 ;

王智凯 .

中国专利 :CN118610059A ,2024-09-06

[8]

用于处理半导体衬底的设备及方法 [P].

P·沃勒 ;

R·L·沃尔博夫 ;

M·科林 .

英国专利 :CN120127023A ,2025-06-10

[9]

半导体衬底处理方法 [P].

M·J·塞登 .

中国专利 :CN110517947A ,2019-11-29

[10]

半导体衬底处理方法 [P].

M·J·塞登 .

美国专利 :CN118969599A ,2024-11-15

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