处理半导体衬底的设备以及处理半导体衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610784906.6

申请日：

2016-08-31

公开(公告)号：

CN106601649A

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

徐暐智庄凯麟简渊基杨政辉刘俊秀

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L21687 H01L2102

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-26	公开	公开
2019-05-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/67 申请公布日:20170426

共 50 条

[1]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[2]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[3]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

[4]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[5]

半导体衬底的处理方法 [P].

赵伟 .

中国专利 :CN120210722A ,2025-06-27

[6]

处理半导体衬底的方法 [P].

戴维·P.·曼西尼 ;

杨·纯 ;

威廉·J·道克什 ;

唐纳德·F·韦斯顿 ;

斯蒂文·R·杨 ;

罗伯特·W·拜尔德 .

中国专利 :CN100492595C ,2007-05-30

[7]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

[8]

硅半导体衬底的热处理方法以及使用该方法处理的硅半导体衬底 [P].

前田进 ;

杉万贵久 ;

佐土原晋弥 ;

芳野史朗 ;

中村浩三 .

中国专利 :CN1943022B ,2007-04-04

[9]

一种半导体衬底、半导体衬底的处理方法及半导体器件 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN117913125A ,2024-04-19

[10]

处理半导体衬底的方法和半导体芯片 [P].

K.卡斯帕尔 ;

F.马里亚尼 .

中国专利 :CN105810634B ,2016-07-27

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