一种半导体衬底、半导体衬底的处理方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410134067.8

申请日：

2024-01-31

公开(公告)号：

CN117913125A

公开(公告)日：

2024-04-19

发明(设计)人：

闫其昂王国斌

申请人：

江苏第三代半导体研究院有限公司

申请人地址：

215101 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室

IPC主分类号：

H01L29/20

IPC分类号：

H01L21/02 H01L33/12 H01L29/778

代理机构：

苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257

代理人：

唐灵

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-19	公开	公开
2024-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/20申请日:20240131

共 50 条

[1]

一种半导体衬底及半导体器件 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN221827892U ,2024-10-11

[2]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[3]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[4]

半导体衬底生产方法及半导体衬底和半导体器件 [P].

竹中正浩 .

中国专利 :CN1259694C ,2004-04-07

[5]

半导体衬底装置、半导体器件及半导体衬底的加工方法 [P].

W·朗海因里希 ;

C·布克塔尔 ;

A·格拉茨 ;

N·哈措波洛斯 ;

K·科诺布罗施 ;

M·勒里希 ;

K·施塔伦贝格 ;

R·施特伦兹 ;

G·滕佩尔 .

中国专利 :CN105810721A ,2016-07-27

[6]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[7]

半导体衬底以及半导体器件 [P].

曲志浩 ;

谢可勋 .

中国专利 :CN118231452A ,2024-06-21

[8]

半导体器件和半导体衬底 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山中伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1210809C ,2002-05-15

[9]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[10]

半导体衬底的制备方法及半导体衬底 [P].

邱宇航 ;

周颖 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN109326516A ,2019-02-12

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