半导体衬底的处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311804319.5

申请日：

2023-12-26

公开(公告)号：

CN120210722A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

赵伟

申请人：

东莞新科技术研究开发有限公司

申请人地址：

523087 广东省东莞市南城区宏远工业区

IPC主分类号：

C23C14/06

IPC分类号：

C23C14/22 C23C14/54

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

杨嘉怡

法律状态：

公开

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[2]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[3]

半导体衬底的表面处理方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102909639B ,2013-02-06

[4]

处理半导体衬底的设备以及处理半导体衬底的方法 [P].

徐暐智 ;

庄凯麟 ;

简渊基 ;

杨政辉 ;

刘俊秀 .

中国专利 :CN106601649A ,2017-04-26

[5]

半导体衬底的制备方法及半导体衬底 [P].

邱宇航 ;

周颖 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN109326516A ,2019-02-12

[6]

处理半导体衬底的方法 [P].

戴维·P.·曼西尼 ;

杨·纯 ;

威廉·J·道克什 ;

唐纳德·F·韦斯顿 ;

斯蒂文·R·杨 ;

罗伯特·W·拜尔德 .

中国专利 :CN100492595C ,2007-05-30

[7]

处理半导体衬底的方法和半导体芯片 [P].

K.卡斯帕尔 ;

F.马里亚尼 .

中国专利 :CN105810634B ,2016-07-27

[8]

一种半导体衬底、半导体衬底的处理方法及半导体器件 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN117913125A ,2024-04-19

[9]

用于处理半导体衬底的方法 [P].

W·舒施特雷德 ;

A·布雷梅泽 ;

M·德拉吉奇 ;

T·F·W·赫希鲍尔 ;

W·莱纳特 ;

H-J·舒尔茨 ;

M·D·施沃博达 .

中国专利 :CN112864005A ,2021-05-28

[10]

用于处理半导体衬底的设备及方法 [P].

P·沃勒 ;

R·L·沃尔博夫 ;

M·科林 .

英国专利 :CN120127023A ,2025-06-10

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