处理衬底的方法和设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680033312.6

申请日：

2006-09-08

公开(公告)号：

CN101263584A

公开(公告)日：

2008-09-10

发明(设计)人：

菲利普·加尼尔

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

陈源;张天舒

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回专利申请号:2006800333126 公开日:20080910 号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101006988839 IPC(主分类):H01L 21/306
2008-09-10	公开	公开
2008-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

处理衬底的方法和衬底 [P].

佩卡·劳卡宁 ;

约科·朗 ;

马尔科·蓬基宁 ;

马留卡·图奥米宁 ;

韦科·图奥米宁 ;

约翰尼·达尔 ;

尤哈尼·韦于吕宁 .

中国专利 :CN103201827A ,2013-07-10

[2]

处理半导体衬底的方法和设备 [P].

E·邦德 .

英国专利 :CN120199686A ,2025-06-24

[3]

衬底处理设备和衬底处理方法 [P].

金珉贞 ;

崔文植 ;

李瑟 .

韩国专利 :CN120048732A ,2025-05-27

[4]

用于处理半导体衬底的设备和方法 [P].

A·韦迪 ;

G·伯尼希 ;

N·厄施勒 ;

C·施塔尔胡特 .

中国专利 :CN109216234A ,2019-01-15

[5]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[6]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[7]

用于化学处理半导体衬底的方法和设备 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.法思 ;

W.约斯 .

中国专利 :CN108735595A ,2018-11-02

[8]

处理半导体衬底的设备以及处理半导体衬底的方法 [P].

徐暐智 ;

庄凯麟 ;

简渊基 ;

杨政辉 ;

刘俊秀 .

中国专利 :CN106601649A ,2017-04-26

[9]

用于处理衬底的设备及方法 [P].

M·艾尔斯 ;

J·麦克尼尔 ;

T·托马斯 .

英国专利 :CN111809206B ,2024-11-15

[10]

用于处理衬底的设备及方法 [P].

M·艾尔斯 ;

J·麦克尼尔 ;

T·托马斯 .

中国专利 :CN111809206A ,2020-10-23

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