用于化学处理半导体衬底的方法和设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711100490.2

申请日：

2017-11-07

公开(公告)号：

CN108735595A

公开(公告)日：

2018-11-02

发明(设计)人：

I.梅尔尼克 P.法思 W.约斯

申请人：

申请人地址：

德国康斯坦茨

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L2167 H01L3118

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-02	公开	公开
2020-04-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20171107

共 50 条

[1]

用于化学处理半导体衬底的设备 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.法思 ;

W.约斯 .

中国专利 :CN208433367U ,2019-01-25

[2]

用于化学处理半导体衬底的装置和方法 [P].

彼得·法思 ;

斯蒂芬·凯勒 ;

伊霍·梅尔尼克 .

中国专利 :CN106024614A ,2016-10-12

[3]

用于化学处理半导体衬底的装置 [P].

彼得·法思 ;

斯蒂芬·凯勒 ;

伊霍·梅尔尼克 .

中国专利 :CN205828351U ,2016-12-21

[4]

用于处理半导体衬底的设备和方法 [P].

A·韦迪 ;

G·伯尼希 ;

N·厄施勒 ;

C·施塔尔胡特 .

中国专利 :CN109216234A ,2019-01-15

[5]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[6]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[7]

处理半导体衬底的方法和设备 [P].

E·邦德 .

英国专利 :CN120199686A ,2025-06-24

[8]

处理半导体衬底的设备以及处理半导体衬底的方法 [P].

徐暐智 ;

庄凯麟 ;

简渊基 ;

杨政辉 ;

刘俊秀 .

中国专利 :CN106601649A ,2017-04-26

[9]

用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法 [P].

M·海因里奇 ;

J·希尔施勒 ;

M·米希茨 ;

M·勒斯纳 ;

G·施特兰茨尔 ;

M·兹加加 .

中国专利 :CN105609410A ,2016-05-25

[10]

用于对半导体衬底进行处理的方法和设备 [P].

克努特·比克曼 ;

盖伊·帕特里克·塔克 .

中国专利 :CN1302453A ,2001-07-04

← 1 2 3 4 5 →