用于对半导体衬底进行处理的方法和设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99806460.2

申请日：

1999-05-19

公开(公告)号：

CN1302453A

公开(公告)日：

2001-07-04

发明(设计)人：

克努特·比克曼盖伊·帕特里克·塔克

申请人：

申请人地址：

英国格温特

IPC主分类号：

H01L21312

IPC分类号：

H01L21316 C23C1640

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

孙征

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-07-11	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2001-07-04	公开	公开
2006-04-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

用于对半导体衬底进行表面织构化的设备和方法 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.费斯 ;

W.乔斯 ;

J.琼格-凯尼格 ;

A.泰佩 .

中国专利 :CN110534450A ,2019-12-03

[2]

用于对半导体衬底进行表面织构化的设备 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.费斯 ;

W.乔斯 ;

J.琼格-凯尼格 ;

A.泰佩 .

中国专利 :CN209133464U ,2019-07-19

[3]

对半导体衬底的表面进行活化的溶液和方法 [P].

文森特·梅费里克 ;

多米尼克·祖尔 .

中国专利 :CN102482778A ,2012-05-30

[4]

用于处理半导体衬底的设备和方法 [P].

A·韦迪 ;

G·伯尼希 ;

N·厄施勒 ;

C·施塔尔胡特 .

中国专利 :CN109216234A ,2019-01-15

[5]

使用顺序化工品施加对半导体衬底进行表面处理的方法和装置 [P].

卡特里娜·米哈利钦科 ;

伊扎克·萨巴 ;

德拉甘·波德莱斯尼克 .

中国专利 :CN102160150A ,2011-08-17

[6]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[7]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[8]

对半导体基底进行化学处理的设备和方法 [P].

彼得·法斯 ;

伊霍尔·梅尔尼克 .

中国专利 :CN108292616A ,2018-07-17

[9]

对半导体工件进行处理的半导体设备及方法 [P].

蔡承祐 ;

杨固峰 ;

邱文智 .

中国专利 :CN114334638A ,2022-04-12

[10]

用于对半导体设备进行分类的方法 [P].

李相允 ;

林双根 .

中国专利 :CN101194353A ,2008-06-04

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