用于对半导体衬底进行表面织构化的设备和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810517454.4

申请日：

2018-05-25

公开(公告)号：

CN110534450A

公开(公告)日：

2019-12-03

发明(设计)人：

I.梅尔尼克 P.费斯 W.乔斯 J.琼格-凯尼格 A.泰佩

申请人：

申请人地址：

德国康斯坦茨

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L21306 H01L310236 H01L3118

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

任丽荣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-03	公开	公开
2019-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20180525

共 50 条

[1]

用于对半导体衬底进行表面织构化的设备 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.费斯 ;

W.乔斯 ;

J.琼格-凯尼格 ;

A.泰佩 .

中国专利 :CN209133464U ,2019-07-19

[2]

织构化的半导体衬底 [P].

R·K·巴尔 ;

C·欧康纳 .

中国专利 :CN102162139A ,2011-08-24

[3]

对半导体衬底的表面进行活化的溶液和方法 [P].

文森特·梅费里克 ;

多米尼克·祖尔 .

中国专利 :CN102482778A ,2012-05-30

[4]

用于对半导体衬底进行处理的方法和设备 [P].

克努特·比克曼 ;

盖伊·帕特里克·塔克 .

中国专利 :CN1302453A ,2001-07-04

[5]

使用顺序化工品施加对半导体衬底进行表面处理的方法和装置 [P].

卡特里娜·米哈利钦科 ;

伊扎克·萨巴 ;

德拉甘·波德莱斯尼克 .

中国专利 :CN102160150A ,2011-08-17

[6]

用于对半导体设备进行分类的方法 [P].

李相允 ;

林双根 .

中国专利 :CN101194353A ,2008-06-04

[7]

对玻璃表面进行织构化的方法 [P].

T·E·迈尔斯 ;

V·拉维钱德兰 ;

C·C·沃尔科特 .

中国专利 :CN104684858A ,2015-06-03

[8]

织构化单晶半导体衬底以减小入射光反射 [P].

M·P·托本 ;

R·K·巴尔 ;

C·奥康纳 .

中国专利 :CN103681959B ,2014-03-26

[9]

用于对半导体部件进行控制的方法和设备 [P].

马丁·莱特宁 .

中国专利 :CN101729052A ,2010-06-09

[10]

用于化学处理带有被锯割形成的表面结构的半导体衬底的设备 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.法思 ;

W.约斯 .

中国专利 :CN207993803U ,2018-10-19

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