织构化单晶半导体衬底以减小入射光反射

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310502556.6

申请日：

2013-08-28

公开(公告)号：

CN103681959B

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

M·P·托本 R·K·巴尔 C·奥康纳

申请人：

申请人地址：

美国新泽西州

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310236

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

胡嘉倩

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-29	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101734851356 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2013105025566 登记生效日:20160607 变更事项:申请人变更前权利人:罗门哈斯电子材料有限公司变更后权利人:太阳化学公司变更事项:地址变更前权利人:美国马萨诸塞州变更后权利人:美国新泽西州
2014-03-26	公开	公开
2020-08-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20130828 授权公告日:20170419 终止日期:20190828
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581672005 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2013105025566 申请日:20130828
2017-04-19	授权	授权

共 7 条

[1]

用于降低入射光反射的单晶半导体衬底的织构方法 [P].

R·K·巴尔 ;

C·奥康纳 ;

P·W·辛克利 ;

G·R·阿拉戴斯 .

中国专利 :CN103515481A ,2014-01-15

[2]

织构化的半导体衬底 [P].

R·K·巴尔 ;

C·欧康纳 .

中国专利 :CN102162139A ,2011-08-24

[3]

用于对半导体衬底进行表面织构化的设备 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.费斯 ;

W.乔斯 ;

J.琼格-凯尼格 ;

A.泰佩 .

中国专利 :CN209133464U ,2019-07-19

[4]

用于对半导体衬底进行表面织构化的设备和方法 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.费斯 ;

W.乔斯 ;

J.琼格-凯尼格 ;

A.泰佩 .

中国专利 :CN110534450A ,2019-12-03

[5]

二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法 [P].

大谷茂树 ;

木下博之 ;

松波弘之 ;

须田淳 ;

天野浩 ;

赤崎勇 ;

上山智 .

中国专利 :CN100415948C ,2005-10-05

[6]

含水酸性溶液和蚀刻溶液以及使单晶和多晶硅衬底表面织构化的方法 [P].

S·布劳恩 ;

A·克里普 ;

C·勒格尔-格普费特 ;

C·比特纳 ;

M·沈 ;

C·林 .

中国专利 :CN103080273A ,2013-05-01

[7]

在封装衬底中的金属结构中具有空隙限定区段以减小管芯-衬底机械应力的半导体管芯模块封装件及相关方法 [P].

A·德特勒夫森 ;

J·比伦 .

美国专利 :CN117836937A ,2024-04-05