织构化的半导体衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010621452.3

申请日：

2010-09-27

公开(公告)号：

CN102162139A

公开(公告)日：

2011-08-24

发明(设计)人：

R·K·巴尔 C·欧康纳

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

C30B3310

IPC分类号：

H01L21302 H01L310352 H01L3118

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陈哲锋

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101735234046 IPC(主分类):C30B 33/10 专利号:ZL2010106214523 登记生效日:20160616 变更事项:专利权人变更前权利人:罗门哈斯电子材料有限公司变更后权利人:太阳化学公司变更事项:地址变更前权利人:美国马萨诸塞州变更后权利人:美国新泽西州
2011-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101116510481 IPC(主分类):C30B 33/10 专利申请号:2010106214523 申请日:20100927
2011-08-24	公开	公开
2014-02-26	授权	授权

共 50 条

[1]

织构化单晶半导体衬底以减小入射光反射 [P].

M·P·托本 ;

R·K·巴尔 ;

C·奥康纳 .

中国专利 :CN103681959B ,2014-03-26

[2]

用于对半导体衬底进行表面织构化的设备 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.费斯 ;

W.乔斯 ;

J.琼格-凯尼格 ;

A.泰佩 .

中国专利 :CN209133464U ,2019-07-19

[3]

用于降低入射光反射的单晶半导体衬底的织构方法 [P].

R·K·巴尔 ;

C·奥康纳 ;

P·W·辛克利 ;

G·R·阿拉戴斯 .

中国专利 :CN103515481A ,2014-01-15

[4]

用于对半导体衬底进行表面织构化的设备和方法 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.费斯 ;

W.乔斯 ;

J.琼格-凯尼格 ;

A.泰佩 .

中国专利 :CN110534450A ,2019-12-03

[5]

半导体衬底 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN214625048U ,2021-11-05

[6]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[7]

半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件 [P].

橘浩一 ;

本乡智惠 ;

布上真也 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN1741296A ,2006-03-01

[8]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[9]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN106033752A ,2016-10-19

[10]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN107994002A ,2018-05-04

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