半导体衬底

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120391367.6

申请日：

2021-02-19

公开(公告)号：

CN214625048U

公开(公告)日：

2021-11-05

发明(设计)人：

伊藤冬马小出辰彦中岛宽记矢内有美杉田智彦北川白马守田峻海

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2711524 H01L2711551 H01L271157 H01L2711578 H01L21306

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

杨林勳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-05	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[2]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[3]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[4]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[5]

半导体衬底 [P].

内藤宽 ;

藤田晴光 .

中国专利 :CN2826695Y ,2006-10-11

[6]

半导体衬底 [P].

陈昭丞 ;

张皇贤 .

中国专利 :CN114388376A ,2022-04-22

[7]

半导体衬底 [P].

G·特罗斯卡 ;

H·哈通 ;

M·诺曼 .

德国专利 :CN111146179B ,2025-03-07

[8]

半导体衬底 [P].

杨彦涛 ;

邵凯 ;

顾悦吉 ;

刘鹏 ;

於广军 .

中国专利 :CN204946904U ,2016-01-06

[9]

半导体衬底 [P].

G·特罗斯卡 ;

H·哈通 ;

M·诺曼 .

中国专利 :CN111146179A ,2020-05-12

[10]

半导体衬底 [P].

山本大贵 ;

长田刚规 .

中国专利 :CN110024083A ,2019-07-16

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