半导体衬底

被引：0

申请号：

CN202111458990.X

申请日：

2021-12-02

公开(公告)号：

CN114388376A

公开(公告)日：

2022-04-22

发明(设计)人：

陈昭丞张皇贤

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20211202
2022-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底 [P].

内藤宽 ;

藤田晴光 .

中国专利 :CN2826695Y ,2006-10-11

[2]

半导体衬底 [P].

G·特罗斯卡 ;

H·哈通 ;

M·诺曼 .

德国专利 :CN111146179B ,2025-03-07

[3]

半导体衬底 [P].

杨彦涛 ;

邵凯 ;

顾悦吉 ;

刘鹏 ;

於广军 .

中国专利 :CN204946904U ,2016-01-06

[4]

半导体衬底 [P].

G·特罗斯卡 ;

H·哈通 ;

M·诺曼 .

中国专利 :CN111146179A ,2020-05-12

[5]

半导体衬底 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN214625048U ,2021-11-05

[6]

半导体衬底 [P].

山本大贵 ;

长田刚规 .

中国专利 :CN110024083A ,2019-07-16

[7]

半导体衬底 [P].

吕文隆 .

中国专利 :CN218385216U ,2023-01-24

[8]

半导体衬底 [P].

内藤宽 ;

藤田晴光 .

中国专利 :CN101131969A ,2008-02-27

[9]

半导体衬底 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN217544594U ,2022-10-04

[10]

半导体衬底 [P].

吕文隆 .

中国专利 :CN114171489A ,2022-03-11

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