半导体衬底

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520758856.5

申请日：

2015-09-28

公开(公告)号：

CN204946904U

公开(公告)日：

2016-01-06

发明(设计)人：

杨彦涛邵凯顾悦吉刘鹏於广军

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州（下沙）经济技术开发区东区10号路308号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

余毅勤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-06	授权	授权
2022-09-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20150928 授权公告日:20160106 终止日期:20210928

共 50 条

[1]

半导体衬底 [P].

吕文隆 .

中国专利 :CN218385216U ,2023-01-24

[2]

半导体衬底 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN217544594U ,2022-10-04

[3]

半导体衬底结构、半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 .

中国专利 :CN204632752U ,2015-09-09

[4]

半导体衬底结构及半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 ;

蔡丽娟 ;

李志成 .

中国专利 :CN204792778U ,2015-11-18

[5]

半导体衬底 [P].

内藤宽 ;

藤田晴光 .

中国专利 :CN2826695Y ,2006-10-11

[6]

半导体衬底 [P].

陈昭丞 ;

张皇贤 .

中国专利 :CN114388376A ,2022-04-22

[7]

半导体衬底 [P].

G·特罗斯卡 ;

H·哈通 ;

M·诺曼 .

德国专利 :CN111146179B ,2025-03-07

[8]

半导体衬底 [P].

G·特罗斯卡 ;

H·哈通 ;

M·诺曼 .

中国专利 :CN111146179A ,2020-05-12

[9]

半导体衬底 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN214625048U ,2021-11-05

[10]

半导体衬底 [P].

山本大贵 ;

长田刚规 .

中国专利 :CN110024083A ,2019-07-16

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