半导体衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911058290.4

申请日：

2019-11-01

公开(公告)号：

CN111146179B

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

G·特罗斯卡 H·哈通 M·诺曼

申请人：

英飞凌科技股份有限公司

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L23/498

IPC分类号：

H01L23/373

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

邬少俊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体衬底 [P].

G·特罗斯卡 ;

H·哈通 ;

M·诺曼 .

中国专利 :CN111146179A ,2020-05-12

[2]

半导体衬底和半导体装置 [P].

J·埃施 .

中国专利 :CN112053994A ,2020-12-08

[3]

半导体衬底和半导体装置 [P].

J·埃施 .

德国专利 :CN112053994B ,2025-02-07

[4]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN106033752A ,2016-10-19

[5]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN107994002A ,2018-05-04

[6]

半导体衬底结构、半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 .

中国专利 :CN204632752U ,2015-09-09

[7]

半导体衬底结构及半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 ;

蔡丽娟 ;

李志成 .

中国专利 :CN204792778U ,2015-11-18

[8]

半导体衬底 [P].

内藤宽 ;

藤田晴光 .

中国专利 :CN2826695Y ,2006-10-11

[9]

半导体衬底 [P].

陈昭丞 ;

张皇贤 .

中国专利 :CN114388376A ,2022-04-22

[10]

半导体衬底 [P].

杨彦涛 ;

邵凯 ;

顾悦吉 ;

刘鹏 ;

於广军 .

中国专利 :CN204946904U ,2016-01-06

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