半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711337277.3

申请日：

2015-03-19

公开(公告)号：

CN107994002A

公开(公告)日：

2018-05-04

发明(设计)人：

廖国成陈家庆丁一权

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

蕭輔寬

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-30	授权	授权
2018-05-04	公开	公开
2018-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/488 申请日:20150319

共 50 条

[1]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN106033752A ,2016-10-19

[2]

半导体衬底结构、半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 .

中国专利 :CN204632752U ,2015-09-09

[3]

半导体衬底结构及半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 ;

蔡丽娟 ;

李志成 .

中国专利 :CN204792778U ,2015-11-18

[4]

半导体衬底及半导体封装结构 [P].

陈天赐 ;

王圣民 ;

陈光雄 ;

李育颖 .

中国专利 :CN105489580A ,2016-04-13

[5]

半导体封装结构和半导体衬底 [P].

丁兆明 ;

周仁宏 ;

林宜弘 .

中国专利 :CN113345850A ,2021-09-03

[6]

制造半导体封装衬底的方法及半导体封装衬底 [P].

姜圣日 ;

裵仁燮 ;

金制爰 .

中国专利 :CN109427598A ,2019-03-05

[7]

半导体衬底和包含半导体衬底的封装结构 [P].

陈政廷 ;

林弘毅 ;

孔政渊 .

中国专利 :CN118900109A ,2024-11-05

[8]

半导体衬底的形成方法、半导体衬底及半导体结构 [P].

王滔 ;

曹亮 ;

张昱 ;

李炜 ;

杨俊 .

中国专利 :CN120261265A ,2025-07-04

[9]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[10]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

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