半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711337277.3

申请日：

2015-03-19

公开(公告)号：

CN107994002A

公开(公告)日：

2018-05-04

发明(设计)人：

廖国成陈家庆丁一权

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

蕭輔寬

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-30	授权	授权
2018-05-04	公开	公开
2018-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/488 申请日:20150319

共 50 条

[21]

衬底结构、半导体封装结构和半导体工艺 [P].

何政霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN110277366A ,2019-09-24

[22]

衬底结构、包含衬底结构的半导体封装结构，以及制造半导体封装结构的半导体工艺 [P].

吕文隆 .

中国专利 :CN109712941A ,2019-05-03

[23]

半导体衬底及半导体衬底的制造方法 [P].

坂口清文 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1241016A ,2000-01-12

[24]

衬底结构、半导体封装结构和半导体工艺 [P].

何政霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN110277366B ,2025-09-09

[25]

半导体封装的衬底 [P].

潘玲 ;

倪胜锦 ;

黄宏远 ;

陈奕武 ;

廖世雄 .

美国专利 :CN118198004A ,2024-06-14

[26]

半导体衬底生产方法及半导体衬底和半导体器件 [P].

竹中正浩 .

中国专利 :CN1259694C ,2004-04-07

[27]

半导体衬底装置、半导体器件及半导体衬底的加工方法 [P].

W·朗海因里希 ;

C·布克塔尔 ;

A·格拉茨 ;

N·哈措波洛斯 ;

K·科诺布罗施 ;

M·勒里希 ;

K·施塔伦贝格 ;

R·施特伦兹 ;

G·滕佩尔 .

中国专利 :CN105810721A ,2016-07-27

[28]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[29]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[30]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

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