半导体封装结构和半导体衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110095296.X

申请日：

2021-01-25

公开(公告)号：

CN113345850A

公开(公告)日：

2021-09-03

发明(设计)人：

丁兆明周仁宏林宜弘

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2358 H01L2178

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

蕭輔寬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底结构、半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 .

中国专利 :CN204632752U ,2015-09-09

[2]

半导体衬底结构及半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 ;

蔡丽娟 ;

李志成 .

中国专利 :CN204792778U ,2015-11-18

[3]

半导体衬底及半导体封装结构 [P].

陈天赐 ;

王圣民 ;

陈光雄 ;

李育颖 .

中国专利 :CN105489580A ,2016-04-13

[4]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN106033752A ,2016-10-19

[5]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN107994002A ,2018-05-04

[6]

衬底、半导体装置和半导体封装结构 [P].

郭宏钧 ;

王维伦 .

中国专利 :CN107768303A ,2018-03-06

[7]

衬底结构、半导体封装结构和半导体工艺 [P].

何政霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN110277366A ,2019-09-24

[8]

衬底结构、半导体封装结构和半导体工艺 [P].

何政霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN110277366B ,2025-09-09

[9]

半导体衬底、半导体封装结构和制造半导体装置的方法 [P].

呂文隆 .

中国专利 :CN110349935A ,2019-10-18

[10]

半导体衬底、半导体封装结构和制造半导体装置的方法 [P].

呂文隆 .

中国专利 :CN110349935B ,2025-02-11

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