半导体衬底、半导体封装结构和制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811561793.9

申请日：

2018-12-20

公开(公告)号：

CN110349935A

公开(公告)日：

2019-10-18

发明(设计)人：

呂文隆

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

H01L21027 H01L2148

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

蕭輔寬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/498 申请日:20181220
2019-10-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底、半导体封装结构和制造半导体装置的方法 [P].

呂文隆 .

中国专利 :CN110349935B ,2025-02-11

[2]

半导体封装结构和半导体衬底 [P].

丁兆明 ;

周仁宏 ;

林宜弘 .

中国专利 :CN113345850A ,2021-09-03

[3]

衬底、半导体装置和半导体封装结构 [P].

郭宏钧 ;

王维伦 .

中国专利 :CN107768303A ,2018-03-06

[4]

半导体衬底结构、半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 .

中国专利 :CN204632752U ,2015-09-09

[5]

半导体衬底、半导体封装结构和其制造方法 [P].

姜裕求 ;

金政勋 ;

林星默 .

中国专利 :CN105720016A ,2016-06-29

[6]

半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法 [P].

何政霖 ;

苏洹漳 ;

李志成 .

中国专利 :CN105304602A ,2016-02-03

[7]

半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 .

中国专利 :CN106158815A ,2016-11-23

[8]

半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法 [P].

李志成 ;

苏洹漳 ;

何政霖 ;

吴崇铭 ;

颜尤龙 .

中国专利 :CN105140198A ,2015-12-09

[9]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN106033752A ,2016-10-19

[10]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN107994002A ,2018-05-04

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