半导体衬底的形成方法、半导体衬底及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510333331.5

申请日：

2025-03-20

公开(公告)号：

CN120261265A

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

王滔曹亮张昱李炜杨俊

申请人：

上海新傲科技股份有限公司

申请人地址：

201821 上海市嘉定区新徕路200号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250320
2025-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底及用于形成半导体衬底的方法 [P].

J·皮杰卡 ;

简·海布尔 ;

杜桑·波斯图尔卡 ;

朱拉·贾丽娜 ;

戴维·莱萨切克 .

美国专利 :CN119967878A ,2025-05-09

[2]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN106033752A ,2016-10-19

[3]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN107994002A ,2018-05-04

[4]

半导体衬底的形成方法、半导体衬底及半导体激光器 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

苗渊浩 ;

林鸿霄 ;

赵雪薇 .

中国专利 :CN115394893A ,2022-11-25

[5]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[6]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[7]

半导体衬底、半导体封装及其形成方法 [P].

何政霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN110729204A ,2020-01-24

[8]

一种半导体衬底结构的形成方法及半导体衬底结构 [P].

欧欣 ;

陈阳 ;

黄凯 .

中国专利 :CN119987053A ,2025-05-13

[9]

一种半导体衬底结构的形成方法及半导体衬底结构 [P].

欧欣 ;

陈阳 ;

黄凯 .

中国专利 :CN119987054A ,2025-05-13

[10]

半导体衬底的制备方法及半导体衬底 [P].

邱宇航 ;

周颖 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN109326516A ,2019-02-12

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