半导体衬底、半导体封装及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811080361.6

申请日：

2018-09-17

公开(公告)号：

CN110729204A

公开(公告)日：

2020-01-24

发明(设计)人：

何政霖李志成

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

H01L2160 H01L2331 H01L23522

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

蕭輔寬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/56 申请日:20180917
2020-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体封装结构、半导体器件及其形成方法 [P].

野口紘希 ;

王奕 .

中国专利 :CN117457627A ,2024-01-26

[2]

半导体封装及其形成方法 [P].

沈香谷 ;

林谷峰 ;

王良玮 ;

陈殿豪 .

中国专利 :CN115020443A ,2022-09-06

[3]

半导体衬底的形成方法、半导体衬底及半导体结构 [P].

王滔 ;

曹亮 ;

张昱 ;

李炜 ;

杨俊 .

中国专利 :CN120261265A ,2025-07-04

[4]

半导体衬底及其形成方法 [P].

汪聪颖 ;

李炜 ;

倪志娇 ;

刘燕 ;

陈国兴 .

中国专利 :CN119050045A ,2024-11-29

[5]

半导体衬底结构、半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 .

中国专利 :CN204632752U ,2015-09-09

[6]

半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法 [P].

何政霖 ;

苏洹漳 ;

李志成 .

中国专利 :CN105304602A ,2016-02-03

[7]

半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 .

中国专利 :CN106158815A ,2016-11-23

[8]

半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法 [P].

李志成 ;

苏洹漳 ;

何政霖 ;

吴崇铭 ;

颜尤龙 .

中国专利 :CN105140198A ,2015-12-09

[9]

半导体衬底及半导体封装装置，以及用于形成半导体衬底的方法 [P].

蔡丽娟 ;

李志成 .

中国专利 :CN108538801B ,2018-09-14

[10]

用于半导体封装的衬底及其形成方法 [P].

A·森 ;

林少雄 .

中国专利 :CN105009276A ,2015-10-28

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