半导体衬底及半导体封装装置，以及用于形成半导体衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710628449.6

申请日：

2017-07-28

公开(公告)号：

CN108538801B

公开(公告)日：

2018-09-14

发明(设计)人：

蔡丽娟李志成

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

H01L2148

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

萧辅宽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-14	公开	公开
2020-03-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/498 申请日:20170728
2021-10-01	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN106033752A ,2016-10-19

[2]

半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构 [P].

廖国成 ;

陈家庆 ;

丁一权 .

中国专利 :CN107994002A ,2018-05-04

[3]

半导体衬底及用于形成半导体衬底的方法 [P].

J·皮杰卡 ;

简·海布尔 ;

杜桑·波斯图尔卡 ;

朱拉·贾丽娜 ;

戴维·莱萨切克 .

美国专利 :CN119967878A ,2025-05-09

[4]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

[5]

半导体衬底结构、半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 .

中国专利 :CN204632752U ,2015-09-09

[6]

半导体衬底及半导体封装结构 [P].

陈天赐 ;

王圣民 ;

陈光雄 ;

李育颖 .

中国专利 :CN105489580A ,2016-04-13

[7]

半导体衬底结构及半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 ;

蔡丽娟 ;

李志成 .

中国专利 :CN204792778U ,2015-11-18

[8]

半导体衬底的形成方法、半导体衬底及半导体结构 [P].

王滔 ;

曹亮 ;

张昱 ;

李炜 ;

杨俊 .

中国专利 :CN120261265A ,2025-07-04

[9]

半导体衬底、半导体封装及其形成方法 [P].

何政霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN110729204A ,2020-01-24

[10]

制造半导体封装衬底的方法及半导体封装衬底 [P].

姜圣日 ;

裵仁燮 ;

金制爰 .

中国专利 :CN109427598A ,2019-03-05

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