半导体衬底

被引：0

申请号：

CN202221545216.2

申请日：

2022-06-20

公开(公告)号：

CN218385216U

公开(公告)日：

2023-01-24

发明(设计)人：

吕文隆

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

H01L2364

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体衬底 [P].

杨彦涛 ;

邵凯 ;

顾悦吉 ;

刘鹏 ;

於广军 .

中国专利 :CN204946904U ,2016-01-06

[2]

半导体衬底 [P].

山本大贵 ;

长田刚规 .

中国专利 :CN110024083A ,2019-07-16

[3]

半导体衬底 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN217544594U ,2022-10-04

[4]

半导体衬底 [P].

吕文隆 .

中国专利 :CN114171489A ,2022-03-11

[5]

半导体衬底结构、半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 .

中国专利 :CN204632752U ,2015-09-09

[6]

半导体衬底结构及半导体封装 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 ;

蔡丽娟 ;

李志成 .

中国专利 :CN204792778U ,2015-11-18

[7]

半导体衬底 [P].

内藤宽 ;

藤田晴光 .

中国专利 :CN2826695Y ,2006-10-11

[8]

半导体衬底 [P].

陈昭丞 ;

张皇贤 .

中国专利 :CN114388376A ,2022-04-22

[9]

半导体衬底 [P].

G·特罗斯卡 ;

H·哈通 ;

M·诺曼 .

德国专利 :CN111146179B ,2025-03-07

[10]

半导体衬底 [P].

G·特罗斯卡 ;

H·哈通 ;

M·诺曼 .

中国专利 :CN111146179A ,2020-05-12

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