二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03820514.9

申请日：

2003-08-21

公开(公告)号：

CN100415948C

公开(公告)日：

2005-10-05

发明(设计)人：

大谷茂树木下博之松波弘之须田淳天野浩赤崎勇上山智

申请人：

申请人地址：

日本茨城县

IPC主分类号：

C30B2910

IPC分类号：

H01L2912 H01S5323

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

陈建全

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-03	授权	授权
2013-10-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101529321820 IPC(主分类):C30B 29/10 专利号:ZL038205149 申请日:20030821 授权公告日:20080903 终止日期:20120821
2005-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底及其制造方法 [P].

阴正炫 ;

崔光龙 ;

宋在镐 ;

李东键 ;

李启珍 ;

崔荣宰 .

中国专利 :CN105264643B ,2016-01-20

[2]

半导体衬底及其制造方法、和使用它的半导体器件及其制造方法 [P].

森下隆 ;

松井正宏 .

中国专利 :CN1319252A ,2001-10-24

[3]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[4]

化合物半导体衬底的制造方法 [P].

宫嶋孝夫 ;

富谷茂隆 ;

碓井彰 .

中国专利 :CN1380682A ,2002-11-20

[5]

化合物半导体衬底的制造方法 [P].

宫孝夫 ;

富谷茂隆 ;

碓井彰 .

中国专利 :CN101471246A ,2009-07-01

[6]

半导体晶体衬底、半导体装置及其制造方法 [P].

苫米地秀一 ;

小谷淳二 ;

中村哲一 .

中国专利 :CN103715081A ,2014-04-09

[7]

半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今西健治 ;

吉川俊英 ;

田中丈士 ;

守谷美彦 ;

乙木洋平 .

中国专利 :CN101276792A ,2008-10-01

[8]

半导体晶体的制造方法和半导体衬底 [P].

柴田直树 ;

平田宏治 ;

山崎史郎 ;

今井克宏 ;

岩井真 ;

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

川村史朗 .

中国专利 :CN101415868A ,2009-04-22

[9]

化合物半导体衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN102112666A ,2011-06-29

[10]

化合物半导体衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN104538525A ,2015-04-22

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