用于化学处理半导体衬底的装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610169935.1

申请日：

2016-03-23

公开(公告)号：

CN106024614A

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

彼得·法思斯蒂芬·凯勒伊霍·梅尔尼克

申请人：

申请人地址：

德国康斯坦茨

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L21308 H01L21677 H01L3118

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

李少丹;许伟群

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/306 申请公布日:20161012
2016-10-12	公开	公开

共 50 条

[1]

用于化学处理半导体衬底的装置 [P].

彼得·法思 ;

斯蒂芬·凯勒 ;

伊霍·梅尔尼克 .

中国专利 :CN205828351U ,2016-12-21

[2]

用于化学处理半导体衬底的方法和设备 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.法思 ;

W.约斯 .

中国专利 :CN108735595A ,2018-11-02

[3]

用于化学处理半导体衬底的设备 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.法思 ;

W.约斯 .

中国专利 :CN208433367U ,2019-01-25

[4]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[5]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[6]

用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法 [P].

M·海因里奇 ;

J·希尔施勒 ;

M·米希茨 ;

M·勒斯纳 ;

G·施特兰茨尔 ;

M·兹加加 .

中国专利 :CN105609410A ,2016-05-25

[7]

半导体衬底的化学溶液处理装置 [P].

渡边薰 ;

石川典夫 ;

青木秀充 ;

森清人 .

中国专利 :CN1434492A ,2003-08-06

[8]

处理半导体衬底的方法和装置 [P].

内德·莎玛 ;

理查德·怀斯 ;

游正义 ;

萨曼莎·坦 .

美国专利 :CN118519315A ,2024-08-20

[9]

一种用于处理半导体衬底的装置和方法 [P].

梁贤石 ;

金帅炯 ;

金成昱 ;

权炳仁 .

中国专利 :CN113075865B ,2021-07-06

[10]

用于处理半导体衬底的设备和方法 [P].

A·韦迪 ;

G·伯尼希 ;

N·厄施勒 ;

C·施塔尔胡特 .

中国专利 :CN109216234A ,2019-01-15

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