半导体衬底的化学溶液处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02154501.4

申请日：

2002-12-04

公开(公告)号：

CN1434492A

公开(公告)日：

2003-08-06

发明(设计)人：

渡边薰石川典夫青木秀充森清人

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L21304

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

王维玉;丁业平

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2003-08-06	公开	公开
2003-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

用于化学处理半导体衬底的装置 [P].

彼得·法思 ;

斯蒂芬·凯勒 ;

伊霍·梅尔尼克 .

中国专利 :CN205828351U ,2016-12-21

[2]

半导体衬底的处理装置 [P].

廖彬 ;

周铁军 ;

王金灵 ;

刘留 .

中国专利 :CN209947809U ,2020-01-14

[3]

用于化学处理半导体衬底的设备 [P].

I.梅尔尼克 ;

P.法思 ;

W.约斯 .

中国专利 :CN208433367U ,2019-01-25

[4]

用于化学处理半导体衬底的装置和方法 [P].

彼得·法思 ;

斯蒂芬·凯勒 ;

伊霍·梅尔尼克 .

中国专利 :CN106024614A ,2016-10-12

[5]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[6]

半导体衬底的处理装置及处理方法 [P].

廖彬 ;

周铁军 ;

王金灵 ;

刘留 .

中国专利 :CN110211905A ,2019-09-06

[7]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[8]

在半导体衬底处理装置中均匀处理半导体衬底的注气法 [P].

詹姆斯·罗格斯 ;

陈志刚 ;

约翰·霍兰德 ;

凯尔·斯波尔丁 .

中国专利 :CN105632914A ,2016-06-01

[9]

处理半导体衬底的设备以及处理半导体衬底的方法 [P].

徐暐智 ;

庄凯麟 ;

简渊基 ;

杨政辉 ;

刘俊秀 .

中国专利 :CN106601649A ,2017-04-26

[10]

一种半导体衬底的处理装置 [P].

俞婷 .

中国专利 :CN222511628U ,2025-02-21

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