半导体衬底的处理装置及处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910641421.5

申请日：

2019-07-16

公开(公告)号：

CN110211905A

公开(公告)日：

2019-09-06

发明(设计)人：

廖彬周铁军王金灵刘留

申请人：

申请人地址：

511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-06	公开	公开
2019-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20190716

共 50 条

[1]

半导体衬底的处理装置 [P].

廖彬 ;

周铁军 ;

王金灵 ;

刘留 .

中国专利 :CN209947809U ,2020-01-14

[2]

处理半导体衬底的设备以及处理半导体衬底的方法 [P].

徐暐智 ;

庄凯麟 ;

简渊基 ;

杨政辉 ;

刘俊秀 .

中国专利 :CN106601649A ,2017-04-26

[3]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[4]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[5]

半导体衬底的处理方法 [P].

赵伟 .

中国专利 :CN120210722A ,2025-06-27

[6]

处理半导体衬底的方法 [P].

戴维·P.·曼西尼 ;

杨·纯 ;

威廉·J·道克什 ;

唐纳德·F·韦斯顿 ;

斯蒂文·R·杨 ;

罗伯特·W·拜尔德 .

中国专利 :CN100492595C ,2007-05-30

[7]

衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法 [P].

境正宪 ;

水野谦和 ;

佐佐木伸也 ;

山崎裕久 .

中国专利 :CN102543800A ,2012-07-04

[8]

半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置 [P].

岛本聪 ;

渡桥由悟 ;

桥本良知 ;

广濑义朗 .

中国专利 :CN103325676B ,2013-09-25

[9]

半导体装置的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

原田和宏 ;

板谷秀治 .

中国专利 :CN102376640B ,2012-03-14

[10]

衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法 [P].

福住高则 .

中国专利 :CN114798272A ,2022-07-29

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