半导体装置的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110242737.0

申请日：

2011-08-19

公开(公告)号：

CN102376640B

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

原田和宏板谷秀治

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L213205 H01L2102 H01L2167 C23C1644 C23C1634 C23C1630

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231929753 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011102427370 申请日:20110819
2014-11-05	授权	授权
2018-12-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 登记生效日:20181129 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日立国际电气变更后权利人:株式会社国际电气变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2012-03-14	公开	公开

共 50 条

[1]

衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法 [P].

境正宪 ;

水野谦和 ;

佐佐木伸也 ;

山崎裕久 .

中国专利 :CN102543800A ,2012-07-04

[2]

半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置 [P].

岛本聪 ;

渡桥由悟 ;

桥本良知 ;

广濑义朗 .

中国专利 :CN103325676B ,2013-09-25

[3]

衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法 [P].

福住高则 .

中国专利 :CN114798272A ,2022-07-29

[4]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

汤浅和宏 ;

赤江尚德 ;

寺崎昌人 .

中国专利 :CN103035485A ,2013-04-10

[5]

衬底处理装置、衬底处理方法及半导体器件的制造方法 [P].

山口天和 ;

西堂周平 .

中国专利 :CN104681386A ,2015-06-03

[6]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

广濑义朗 ;

佐野敦 ;

渡桥由悟 ;

桥本良知 ;

岛本聪 .

中国专利 :CN105734531A ,2016-07-06

[7]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

广濑义朗 ;

佐野敦 ;

渡桥由悟 ;

桥本良知 ;

岛本聪 .

中国专利 :CN103165438B ,2013-06-19

[8]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

赤江尚德 ;

广濑义朗 ;

高泽裕真 ;

太田阳介 ;

笹岛亮太 .

中国专利 :CN102034702B ,2011-04-27

[9]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

赤江尚德 ;

广濑义朗 ;

高泽裕真 ;

太田阳介 ;

笹岛亮太 .

中国专利 :CN102915910A ,2013-02-06

[10]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

水野谦和 .

中国专利 :CN101807524A ,2010-08-18

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