半导体装置的制造方法及衬底处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210407086.0

申请日：

2010-09-30

公开(公告)号：

CN102915910A

公开(公告)日：

2013-02-06

发明(设计)人：

赤江尚德广濑义朗高泽裕真太田阳介笹岛亮太

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21314 H01L21316 H01L21318 C23C16455 C23C1630 C23C1634 C23C1640

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-22	授权	授权
2013-02-06	公开	公开
2018-12-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20181205 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日立国际电气变更后权利人:株式会社国际电气变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2013-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101413721977 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2012104070860 申请日:20100930

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

赤江尚德 ;

广濑义朗 ;

高泽裕真 ;

太田阳介 ;

笹岛亮太 .

中国专利 :CN102034702B ,2011-04-27

[2]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

水野谦和 .

中国专利 :CN101807524A ,2010-08-18

[3]

半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置 [P].

岛本聪 ;

渡桥由悟 ;

桥本良知 ;

广濑义朗 .

中国专利 :CN103325676B ,2013-09-25

[4]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

汤浅和宏 ;

赤江尚德 ;

寺崎昌人 .

中国专利 :CN103035485A ,2013-04-10

[5]

半导体装置的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

原田和宏 ;

板谷秀治 .

中国专利 :CN102376640B ,2012-03-14

[6]

衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法 [P].

境正宪 ;

水野谦和 ;

佐佐木伸也 ;

山崎裕久 .

中国专利 :CN102543800A ,2012-07-04

[7]

衬底处理装置以及半导体装置的制造方法 [P].

广地志有 ;

大桥直史 .

中国专利 :CN104752271A ,2015-07-01

[8]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

猪山诚 ;

庄子史人 ;

正村将利 .

中国专利 :CN114164470A ,2022-03-11

[9]

衬底处理装置及半导体装置的制造方法 [P].

芦原洋司 ;

泽田元司 .

中国专利 :CN106505013B ,2017-03-15

[10]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

佐佐木隆史 ;

福田正直 ;

南政克 ;

女川靖浩 .

中国专利 :CN102024695A ,2011-04-20

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