用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511035867.1

申请日：

2015-11-13

公开(公告)号：

CN105609410A

公开(公告)日：

2016-05-25

发明(设计)人：

M·海因里奇 J·希尔施勒 M·米希茨 M·勒斯纳 G·施特兰茨尔 M·兹加加

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王岳;张涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-25	公开	公开
2019-03-19	授权	授权
2016-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101666695795 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2015110358671 申请日:20151113

共 50 条

[1]

半导体晶片和用于处理半导体晶片的方法 [P].

M·金勒 ;

G·施密特 ;

M·斯波恩 ;

M·卡恩 ;

J·斯泰恩布伦纳 ;

R·K·乔施 .

中国专利 :CN105185818B ,2015-12-23

[2]

用于处理半导体晶片的方法 [P].

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

S·福斯 ;

A·布雷梅瑟 ;

A·苏斯蒂 ;

刘书海 ;

H·奥弗纳 .

中国专利 :CN105206515A ,2015-12-30

[3]

用于处理半导体晶片的方法 [P].

木下惠 .

中国专利 :CN102460662B ,2012-05-16

[4]

用于处理半导体晶片的方法 [P].

凯栋·徐 .

中国专利 :CN102460663B ,2012-05-16

[5]

用于处理半导体晶片的半导体处理设备 [P].

J·H·张 .

中国专利 :CN203503622U ,2014-03-26

[6]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[7]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[8]

用于处理半导体晶片的设备和方法 [P].

斯图尔特·罗斯·文哈姆 ;

菲利普·乔治·哈默 ;

布雷特·杰森·哈拉姆 ;

阿德莱恩·苏吉安托 ;

凯瑟琳·艾米丽·尚 ;

宋立辉 ;

吕珮玄 ;

艾利森·马里·文哈姆 ;

林·迈 ;

张子文 ;

徐光琦 ;

马修·布鲁斯·爱德华兹 .

中国专利 :CN106024611A ,2016-10-12

[9]

用于处理半导体晶片的方法和设备 [P].

布莱恩·墨菲 ;

迭戈·费若 ;

赖因霍尔德·瓦尔利希 .

中国专利 :CN101092751B ,2007-12-26

[10]

用于处理半导体衬底的方法 [P].

W·舒施特雷德 ;

A·布雷梅泽 ;

M·德拉吉奇 ;

T·F·W·赫希鲍尔 ;

W·莱纳特 ;

H-J·舒尔茨 ;

M·D·施沃博达 .

中国专利 :CN112864005A ,2021-05-28

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