用于处理半导体晶片的设备和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610544080.6

申请日：

2013-05-20

公开(公告)号：

CN106024611A

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

斯图尔特·罗斯·文哈姆菲利普·乔治·哈默布雷特·杰森·哈拉姆阿德莱恩·苏吉安托凯瑟琳·艾米丽·尚宋立辉吕珮玄艾利森·马里·文哈姆林·迈张子文徐光琦马修·布鲁斯·爱德华兹

申请人：

申请人地址：

澳大利亚新南威尔士

IPC主分类号：

H01L2130

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

梁丽超;陈鹏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-23	授权	授权
2016-10-12	公开	公开
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687253150 IPC(主分类):H01L 21/30 专利申请号:2016105440806 申请日:20130520

共 50 条

[1]

半导体晶片和用于处理半导体晶片的方法 [P].

M·金勒 ;

G·施密特 ;

M·斯波恩 ;

M·卡恩 ;

J·斯泰恩布伦纳 ;

R·K·乔施 .

中国专利 :CN105185818B ,2015-12-23

[2]

用于处理半导体晶片的方法和设备 [P].

布莱恩·墨菲 ;

迭戈·费若 ;

赖因霍尔德·瓦尔利希 .

中国专利 :CN101092751B ,2007-12-26

[3]

用于处理半导体晶片的半导体处理设备 [P].

J·H·张 .

中国专利 :CN203503622U ,2014-03-26

[4]

半导体晶片、半导体芯片及处理晶片的方法和设备 [P].

具泰亨 ;

崔三宗 ;

金泰成 ;

曹圭彻 ;

崔埈荣 ;

金熹声 ;

金娟淑 .

中国专利 :CN101752246A ,2010-06-23

[5]

用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法 [P].

M·海因里奇 ;

J·希尔施勒 ;

M·米希茨 ;

M·勒斯纳 ;

G·施特兰茨尔 ;

M·兹加加 .

中国专利 :CN105609410A ,2016-05-25

[6]

用于处理半导体晶片的方法、控制系统和设备，以及半导体晶片 [P].

S·韦尔施 ;

C·韦伯 ;

A·拜尔 .

中国专利 :CN110770878A ,2020-02-07

[7]

用于处理半导体晶片的方法、控制系统和设备，以及半导体晶片 [P].

A·拜尔 ;

C·韦伯 ;

S·韦尔施 .

中国专利 :CN110785831A ,2020-02-11

[8]

用于处理半导体晶片的方法、控制系统和设备，以及半导体晶片 [P].

A·拜尔 ;

C·韦伯 ;

S·韦尔施 .

德国专利 :CN110785831B ,2024-04-26

[9]

向半导体晶片应用膜的设备和方法、处理半导体晶片的方法 [P].

弗洛里安·别克 .

中国专利 :CN102598225A ,2012-07-18

[10]

用于处理半导体晶片的方法 [P].

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

S·福斯 ;

A·布雷梅瑟 ;

A·苏斯蒂 ;

刘书海 ;

H·奥弗纳 .

中国专利 :CN105206515A ,2015-12-30

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