空穴注入层/传输层组合物及装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200680007564.1
申请日
2006-02-09
公开(公告)号
CN101679714B
公开(公告)日
2010-03-24
发明(设计)人
特洛伊·D·哈蒙德 肖恩·P·威廉姆斯 埃琳娜·舍伊娜 布赖恩·伍德沃斯 达林·莱尔德 克里斯托弗·格雷科
申请人
申请人地址
美国宾夕法尼亚
IPC主分类号
C08L4100
IPC分类号
C08L6502 C08L10112 C08L6500 C08L7902 H01L5150
代理机构
隆天国际知识产权代理有限公司 72003
代理人
高龙鑫
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
空穴注入层以及空穴传输层 [P]. 
舟生重昭 ;
石塚健一 ;
星阳介 .
中国专利 :CN105514272A ,2016-04-20
[2]
形成空穴注入层的方法和空穴注入层墨组合物 [P]. 
李珠莲 ;
金世勳 ;
高孝珍 ;
金兴奎 ;
朴元俊 ;
沈俊辅 ;
李承默 ;
河在国 .
中国专利 :CN114551737A ,2022-05-27
[3]
空穴注入层 [P]. 
T·库格勒 ;
R·威尔逊 .
中国专利 :CN103238228A ,2013-08-07
[4]
空穴传输层用材料、空穴注入层用材料以及有机化合物 [P]. 
渡部刚吉 ;
久保田朋广 ;
植田蓝莉 ;
濑尾哲史 ;
大泽信晴 ;
久保田优子 .
中国专利 :CN112186112A ,2021-01-05
[5]
一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件 [P]. 
肖标 ;
付东 ;
谢相伟 ;
高卓 .
中国专利 :CN105140394A ,2015-12-09
[6]
用于空穴注入和传输层的经改善的掺杂方法 [P]. 
文卡塔拉曼南·塞沙德里 ;
尼特·乔普拉 .
中国专利 :CN103959392B ,2014-07-30
[7]
芳基胺化合物、空穴传输层和空穴注入层用材料、发光器件和装置、电子设备及照明装置 [P]. 
濑尾哲史 ;
大泽信晴 ;
久保田朋广 ;
渡部刚吉 ;
植田蓝莉 ;
北野靖 ;
鸟巢崇生 .
日本专利 :CN121127106A ,2025-12-12
[8]
芳基胺化合物、空穴传输层和空穴注入层用材料、发光器件和装置、电子设备及照明装置 [P]. 
濑尾哲史 ;
大泽信晴 ;
久保田朋广 ;
渡部刚吉 ;
植田蓝莉 ;
北野靖 ;
鸟巢崇生 .
日本专利 :CN113493389B ,2025-10-10
[9]
芳基胺化合物、空穴传输层和空穴注入层用材料、发光器件和装置、电子设备及照明装置 [P]. 
濑尾哲史 ;
大泽信晴 ;
久保田朋广 ;
渡部刚吉 ;
植田蓝莉 ;
北野靖 ;
鸟巢崇生 .
中国专利 :CN113493389A ,2021-10-12
[10]
空穴注入/传输层及制备方法和OLED器件及制备方法 [P]. 
许家驹 ;
陈锦标 ;
陈俊敏 ;
林孟平 .
中国专利 :CN117529194A ,2024-02-06