空穴注入层以及空穴传输层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510426783.4

申请日：

2010-09-30

公开(公告)号：

CN105514272A

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

舟生重昭石塚健一星阳介

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L5100

IPC分类号：

C09K1106 C08G6112 H05B3314 C08G6518 C08L6300 C08G7302

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

金鲜英;王未东

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-20	公开	公开
2018-08-28	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 51/00 变更事项:申请人变更前:日立化成工业株式会社变更后:日立化成株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都千代田区丸内一丁目9番2号
2018-09-14	授权	授权
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101660904573 IPC(主分类):H01L 51/00 专利申请号:2015104267834 申请日:20100930

共 50 条

[1]

空穴注入层 [P].

T·库格勒 ;

R·威尔逊 .

中国专利 :CN103238228A ,2013-08-07

[2]

空穴传输层用材料、空穴注入层用材料以及有机化合物 [P].

渡部刚吉 ;

久保田朋广 ;

植田蓝莉 ;

濑尾哲史 ;

大泽信晴 ;

久保田优子 .

中国专利 :CN112186112A ,2021-01-05

[3]

空穴注入传输层用器件材料、空穴注入传输层形成用油墨、具有空穴注入传输层的器件及其制造方法 [P].

上野滋弘 ;

冈田政人 ;

田口洋介 ;

武诚司 ;

下河原匡哉 ;

多谷奈苗 .

中国专利 :CN102473850B ,2012-05-23

[4]

空穴注入传输层用器件材料、空穴注入传输层形成用油墨、具有空穴注入传输层的器件及其制造方法 [P].

上野滋弘 ;

冈田政人 .

中国专利 :CN102473849A ,2012-05-23

[5]

具有空穴注入传输层的器件及其制造方法、以及用于形成空穴注入传输层的墨液 [P].

上野滋弘 ;

桥本庆介 ;

冈田政人 ;

武诚司 ;

田口洋介 ;

加纳正隆 ;

藤本慎也 .

中国专利 :CN102017217B ,2011-04-13

[6]

空穴注入传输层用材料、空穴注入传输层形成用油墨、器件以及它们的制造方法 [P].

乙木荣志 ;

下河原匡哉 ;

冈田政人 ;

武田利彦 .

中国专利 :CN103843165B ,2014-06-04

[7]

具有空穴注入传输层的器件及其制造方法以及空穴注入传输层形成用油墨 [P].

上野滋弘 ;

冈田政人 ;

薙野晋介 ;

桥本庆介 .

中国专利 :CN102598342B ,2012-07-18

[8]

空穴注入层/传输层组合物及装置 [P].

特洛伊·D·哈蒙德 ;

肖恩·P·威廉姆斯 ;

埃琳娜·舍伊娜 ;

布赖恩·伍德沃斯 ;

达林·莱尔德 ;

克里斯托弗·格雷科 .

中国专利 :CN101679714B ,2010-03-24

[9]

形成空穴注入层的方法和空穴注入层墨组合物 [P].

李珠莲 ;

金世勳 ;

高孝珍 ;

金兴奎 ;

朴元俊 ;

沈俊辅 ;

李承默 ;

河在国 .

中国专利 :CN114551737A ,2022-05-27

[10]

空穴注入材料、包含其的空穴注入层和OLED显示面板 [P].

俞云海 ;

杨红领 ;

鄢亮亮 .

中国专利 :CN110627682B ,2019-12-31

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