空穴注入传输层用器件材料、空穴注入传输层形成用油墨、具有空穴注入传输层的器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080029869.9

申请日：

2010-07-29

公开(公告)号：

CN102473850B

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

上野滋弘冈田政人田口洋介武诚司下河原匡哉多谷奈苗

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H05B3310

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	公开	公开
2012-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101282312684 IPC(主分类):H01L 51/50 专利申请号:2010800298699 申请日:20100729
2015-02-11	授权	授权
2021-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20100729 授权公告日:20150211 终止日期:20200729

共 50 条

[1]

空穴注入传输层用器件材料、空穴注入传输层形成用油墨、具有空穴注入传输层的器件及其制造方法 [P].

上野滋弘 ;

冈田政人 .

中国专利 :CN102473849A ,2012-05-23

[2]

具有空穴注入传输层的器件及其制造方法以及空穴注入传输层形成用油墨 [P].

上野滋弘 ;

冈田政人 ;

薙野晋介 ;

桥本庆介 .

中国专利 :CN102598342B ,2012-07-18

[3]

具有空穴注入传输层的器件及其制造方法、以及用于形成空穴注入传输层的墨液 [P].

上野滋弘 ;

桥本庆介 ;

冈田政人 ;

武诚司 ;

田口洋介 ;

加纳正隆 ;

藤本慎也 .

中国专利 :CN102017217B ,2011-04-13

[4]

空穴注入层以及空穴传输层 [P].

舟生重昭 ;

石塚健一 ;

星阳介 .

中国专利 :CN105514272A ,2016-04-20

[5]

含过渡金属化合物的纳米粒子及其制造方法、空穴注入传输层用油墨以及具有空穴注入传输层的器件及其制造方法 [P].

上野滋弘 ;

田口洋介 ;

下河原匡哉 .

中国专利 :CN102484210B ,2012-05-30

[6]

一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件 [P].

肖标 ;

付东 ;

谢相伟 ;

高卓 .

中国专利 :CN105140394A ,2015-12-09

[7]

用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子及其制造方法 [P].

上野滋弘 ;

桥本庆介 ;

冈田政人 ;

武诚司 ;

田口洋介 ;

加纳正隆 ;

藤本慎也 .

中国专利 :CN103107289B ,2013-05-15

[8]

空穴传输层用材料、空穴注入层用材料以及有机化合物 [P].

渡部刚吉 ;

久保田朋广 ;

植田蓝莉 ;

濑尾哲史 ;

大泽信晴 ;

久保田优子 .

中国专利 :CN112186112A ,2021-01-05

[9]

空穴传输层及其制备方法 [P].

罗文杰 .

中国专利 :CN119012725A ,2024-11-22

[10]

用高电导率空穴传输材料作为空穴传输层的有机电致发光器件 [P].

马东阁 ;

乔现锋 ;

王凤霞 ;

熊涛 .

中国专利 :CN101383400A ,2009-03-11

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