空穴注入传输层用器件材料、空穴注入传输层形成用油墨、具有空穴注入传输层的器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080029866.5

申请日：

2010-07-29

公开(公告)号：

CN102473849A

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

上野滋弘冈田政人

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H05B3310

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	公开	公开
2012-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101282311137 IPC(主分类):H01L 51/50 专利申请号:2010800298665 申请日:20100729
2020-07-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20100729 授权公告日:20141105 终止日期:20190729
2014-11-05	授权	授权

共 50 条

[1]

空穴注入传输层用器件材料、空穴注入传输层形成用油墨、具有空穴注入传输层的器件及其制造方法 [P].

上野滋弘 ;

冈田政人 ;

田口洋介 ;

武诚司 ;

下河原匡哉 ;

多谷奈苗 .

中国专利 :CN102473850B ,2012-05-23

[2]

具有空穴注入传输层的器件及其制造方法以及空穴注入传输层形成用油墨 [P].

上野滋弘 ;

冈田政人 ;

薙野晋介 ;

桥本庆介 .

中国专利 :CN102598342B ,2012-07-18

[3]

具有空穴注入传输层的器件及其制造方法、以及用于形成空穴注入传输层的墨液 [P].

上野滋弘 ;

桥本庆介 ;

冈田政人 ;

武诚司 ;

田口洋介 ;

加纳正隆 ;

藤本慎也 .

中国专利 :CN102017217B ,2011-04-13

[4]

空穴注入传输层用材料、空穴注入传输层形成用油墨、器件以及它们的制造方法 [P].

乙木荣志 ;

下河原匡哉 ;

冈田政人 ;

武田利彦 .

中国专利 :CN103843165B ,2014-06-04

[5]

空穴注入层以及空穴传输层 [P].

舟生重昭 ;

石塚健一 ;

星阳介 .

中国专利 :CN105514272A ,2016-04-20

[6]

具有空穴注入传输层的器件及其制造方法、以及用于形成空穴注入传输层的墨液 [P].

上野滋弘 ;

冈田政人 ;

桥本庆介 .

中国专利 :CN102017216A ,2011-04-13

[7]

含过渡金属化合物的纳米粒子及其制造方法、空穴注入传输层用油墨以及具有空穴注入传输层的器件及其制造方法 [P].

上野滋弘 ;

田口洋介 ;

下河原匡哉 .

中国专利 :CN102484210B ,2012-05-30

[8]

用于形成空穴注入传输层的墨液 [P].

上野滋弘 ;

冈田政人 ;

桥本庆介 .

中国专利 :CN103214882B ,2013-07-24

[9]

一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件 [P].

肖标 ;

付东 ;

谢相伟 ;

高卓 .

中国专利 :CN105140394A ,2015-12-09

[10]

包含含有空穴传输化合物的空穴注入层的有机电子器件 [P].

托马斯·罗泽诺 ;

维金塔斯·扬库什 ;

马库斯·赫默特 ;

朴茂真 ;

弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 ;

安妮特·斯托伊德尔 .

德国专利 :CN115136338B ,2025-10-31

← 1 2 3 4 5 →