导电膜的制造方法及导电膜

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专利类型
发明
申请号
CN201680030108.2
申请日
2016-07-26
公开(公告)号
CN107615408B
公开(公告)日
2018-01-19
发明(设计)人
鸟羽正彦 内田博
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01B1300
IPC分类号
H01B514 B32B7025 B82Y3000
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
马妮楠;段承恩
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
导电膜及导电膜的制造方法 [P]. 
岸本谕卓 ;
深堀奏子 .
中国专利 :CN101542639A ,2009-09-23
[2]
导电膜的制造方法及制造装置以及导电膜 [P]. 
明日彻 .
中国专利 :CN103137267A ,2013-06-05
[3]
导电膜的制造方法及制造装置以及导电膜 [P]. 
明日彻 .
中国专利 :CN102165537A ,2011-08-24
[4]
导电材料、导电膜及它们的制造方法 [P]. 
北村隆之 .
中国专利 :CN101164122B ,2008-04-16
[5]
透明导电膜及透明导电膜的制造方法 [P]. 
深堀奏子 ;
岸本谕卓 .
中国专利 :CN101548343A ,2009-09-30
[6]
透明导电膜及透明导电膜的制造方法 [P]. 
北野高广 .
中国专利 :CN101669177A ,2010-03-10
[7]
透明导电膜及透明导电膜的制造方法 [P]. 
中川原修 ;
瀨戸弘之 ;
岸本諭卓 .
中国专利 :CN101180687A ,2008-05-14
[8]
透明导电膜用层叠体、透明导电膜、以及透明导电膜的制造方法 [P]. 
木下博贵 ;
永绳智史 .
中国专利 :CN115335224A ,2022-11-11
[9]
透明导电膜用层叠体、透明导电膜、以及透明导电膜的制造方法 [P]. 
木下博贵 ;
永绳智史 .
日本专利 :CN115335224B ,2025-01-03
[10]
透明导电膜的制造方法、透明导电膜的制造装置、溅射靶及透明导电膜 [P]. 
汤川富之 ;
武井応树 ;
小林大士 ;
赤松泰彦 ;
清田淳也 ;
增泽健二 ;
石桥晓 .
中国专利 :CN102666909A ,2012-09-12