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实现更小线宽的光刻工艺
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710190157.9
申请日
:
2017-03-27
公开(公告)号
:
CN106933064B
公开(公告)日
:
2017-07-07
发明(设计)人
:
张煜
郑海昌
朱骏
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
IPC主分类号
:
G03F720
IPC分类号
:
H01L21033
代理机构
:
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
:
智云
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-11-09
授权
授权
2017-08-01
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101738374253 IPC(主分类):G03F 7/20 专利申请号:2017101901579 申请日:20170327
2017-07-07
公开
公开
共 50 条
[1]
一种更小线宽的光刻工艺
[P].
黄威
论文数:
0
引用数:
0
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黄威
;
王溯源
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王溯源
;
蔡利康
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蔡利康
;
刘柱
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刘柱
;
章军云
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章军云
;
黄念宁
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黄念宁
;
陈堂胜
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陈堂胜
.
中国专利
:CN111986988A
,2020-11-24
[2]
一种更小线宽的光刻工艺
[P].
黄威
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机构:
中电国基南方集团有限公司
中电国基南方集团有限公司
黄威
;
王溯源
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机构:
中电国基南方集团有限公司
中电国基南方集团有限公司
王溯源
;
蔡利康
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机构:
中电国基南方集团有限公司
中电国基南方集团有限公司
蔡利康
;
刘柱
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机构:
中电国基南方集团有限公司
中电国基南方集团有限公司
刘柱
;
章军云
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机构:
中电国基南方集团有限公司
中电国基南方集团有限公司
章军云
;
黄念宁
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机构:
中电国基南方集团有限公司
中电国基南方集团有限公司
黄念宁
;
陈堂胜
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机构:
中电国基南方集团有限公司
中电国基南方集团有限公司
陈堂胜
.
中国专利
:CN111986988B
,2024-05-28
[3]
光刻工艺方法
[P].
官锡俊
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0
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0
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官锡俊
.
中国专利
:CN110767540A
,2020-02-07
[4]
光刻工艺方法
[P].
冷国庆
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
冷国庆
;
邢会锋
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
邢会锋
;
尹静娟
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
尹静娟
;
陈倩
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
陈倩
.
中国专利
:CN116072519B
,2025-12-09
[5]
光刻工艺方法
[P].
官锡俊
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0
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0
官锡俊
.
中国专利
:CN110632829A
,2019-12-31
[6]
光刻工艺方法
[P].
刘华明
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0
刘华明
.
中国专利
:CN110634732B
,2019-12-31
[7]
光刻工艺
[P].
李永尧
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李永尧
;
王盈盈
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王盈盈
;
刘恒信
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刘恒信
;
林进祥
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林进祥
.
中国专利
:CN103543611B
,2014-01-29
[8]
光刻工艺的显影方法
[P].
杨光宇
论文数:
0
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0
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杨光宇
.
中国专利
:CN101393401A
,2009-03-25
[9]
光刻工艺的显影方法
[P].
李燕
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李燕
;
曹亮
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曹亮
;
杨正兵
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杨正兵
;
唐代华
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唐代华
;
李磊
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李磊
;
张华
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张华
.
中国专利
:CN103424997B
,2013-12-04
[10]
进行光刻工艺的方法
[P].
黄启清
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黄启清
;
颜子卿
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颜子卿
;
罗士杰
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罗士杰
;
吴文宗
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吴文宗
.
中国专利
:CN101504510A
,2009-08-12
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