单晶炉、确定该单晶炉在单晶硅生长过程中操作参数的方法以及制备单晶硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010687145.9

申请日：

2020-07-16

公开(公告)号：

CN111926384B

公开(公告)日：

2020-11-13

发明(设计)人：

陈翼黄末刘奇

申请人：

申请人地址：

221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B1510 C30B2906

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

肖阳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20200716
2022-06-17	授权	授权
2020-11-13	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶炉及单晶硅的制备方法 [P].

李阳 ;

张婉婉 .

中国专利 :CN110760928A ,2020-02-07

[2]

单晶硅生长炉 [P].

李秦霖 ;

宋洪伟 .

中国专利 :CN106894082B ,2017-06-27

[3]

单晶硅生长炉 [P].

刘磊 ;

武鹏 ;

楼杭炯 ;

王运动 ;

何金凯 ;

贾晨晨 ;

王成龙 ;

张大海 .

中国专利 :CN222935574U ,2025-06-03

[4]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

蒲以松 ;

惠聪 .

中国专利 :CN110983429A ,2020-04-10

[5]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

蔡媛媛 ;

程立 ;

徐森炀 .

中国专利 :CN119465399A ,2025-02-18

[6]

单晶炉及单晶硅的制备方法 [P].

潘浩 .

中国专利 :CN118639314A ,2024-09-13

[7]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

赵玉智 ;

欧子杨 ;

陈占仓 .

中国专利 :CN119900081A ,2025-04-29

[8]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

赵玉智 ;

欧子杨 ;

陈占仓 ;

魏建兴 ;

蔡辉 .

中国专利 :CN119433688A ,2025-02-14

[9]

单晶硅生长炉 [P].

陈俊宏 .

中国专利 :CN218262828U ,2023-01-10

[10]

单晶硅生长炉 [P].

张志新 ;

王军 ;

安桂正 .

中国专利 :CN300933376D ,2009-05-27

← 1 2 3 4 5 →