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基准电压发生器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811306576.5
申请日：
2018-11-05
公开(公告)号：
CN109933117B
公开(公告)日：
2019-06-25
发明(设计)人：
金泰逵
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
G05F156
IPC分类号：
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
刘久亮;黄纶伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-06-25 公开 公开
2019-07-19 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20181105
2021-05-11 授权 授权
共 50 条
[1]
基准电压发生器 [P]. 
桑野刚 .
中国专利 :CN1963715A ,2007-05-16
[2]
带隙基准电压发生器 [P]. 
白承昊 ;
郑圣宪 ;
黄明运 .
中国专利 :CN101999106A ,2011-03-30
[3]
带隙基准电压发生器 [P]. 
吴建舟 ;
王洋 .
中国专利 :CN103677054A ,2014-03-26
[4]
开关控制电压发生器、带隙基准发生器及其开关电压产生方法 [P]. 
崔海祯 ;
金柱成 ;
梁埈赫 ;
庾成敏 .
韩国专利 :CN119311069A ,2025-01-14
[5]
高电压发生器 [P]. 
J·齐维基 ;
R·哈德兰德 .
中国专利 :CN107079571B ,2017-08-18
[6]
基准电压发生器电路和电路系统 [P]. 
A·拉希里 .
中国专利 :CN207457889U ,2018-06-05
[7]
低电压CMOS带隙基准发生器 [P]. 
H·V·特兰 ;
T·H·特兰 ;
V·萨林 ;
A·利 ;
N·汉佐 ;
S·T·阮 .
中国专利 :CN1637678A ,2005-07-13
[8]
使用CMOS晶体管的基准电压发生器 [P]. 
李升勋 .
中国专利 :CN1080742A ,1994-01-12
[9]
基准电压发生器和相应的集成电路 [P]. 
宋振宇 ;
孙俊岳 .
中国专利 :CN103853229A ,2014-06-11
[10]
内部电压发生器 [P]. 
边相镇 ;
李在真 .
中国专利 :CN1855298A ,2006-11-01
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