低电压CMOS带隙基准发生器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410094169.4

申请日：

2004-12-29

公开(公告)号：

CN1637678A

公开(公告)日：

2005-07-13

发明(设计)人：

H·V·特兰 T·H·特兰 V·萨林 A·利 N·汉佐 S·T·阮

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G05F320

IPC分类号：

G05F326 G11C1630

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

傅康;梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-08-19	授权	授权
2005-07-13	公开	公开

共 50 条

[1]

带隙基准电压发生器 [P].

白承昊 ;

郑圣宪 ;

黄明运 .

中国专利 :CN101999106A ,2011-03-30

[2]

带隙基准电压发生器 [P].

吴建舟 ;

王洋 .

中国专利 :CN103677054A ,2014-03-26

[3]

低电压CMOS带隙基准电压源 [P].

范涛 ;

袁国顺 .

中国专利 :CN101630176B ,2010-01-20

[4]

开关控制电压发生器、带隙基准发生器及其开关电压产生方法 [P].

崔海祯 ;

金柱成 ;

梁埈赫 ;

庾成敏 .

韩国专利 :CN119311069A ,2025-01-14

[5]

带隙基准电压发生电路 [P].

赵殷相 .

中国专利 :CN101470457B ,2009-07-01

[6]

曲率补偿带隙电压发生器 [P].

段新东 .

中国专利 :CN101673123B ,2010-03-17

[7]

带隙电压基准电路 [P].

刘帘曦 ;

牛越 ;

刘术彬 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN103941792B ,2014-07-23

[8]

带隙基准电压源 [P].

谢勇坚 ;

方永松 ;

黄建宝 ;

庄艳萍 .

中国专利 :CN214795740U ,2021-11-19

[9]

基准电压发生器 [P].

金泰逵 .

中国专利 :CN109933117B ,2019-06-25

[10]

基准电压发生器 [P].

桑野刚 .

中国专利 :CN1963715A ,2007-05-16

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