低电压CMOS带隙基准电压源

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910304881.5

申请日：

2009-07-28

公开(公告)号：

CN101630176B

公开(公告)日：

2010-01-20

发明(设计)人：

范涛袁国顺

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

IPC主分类号：

G05F330

IPC分类号：

代理机构：

北京市德权律师事务所 11302

代理人：

王建国

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101679162558 IPC(主分类):G05F 3/30 专利号:ZL2009103048815 申请日:20090728 授权公告日:20111116 终止日期:20150728
2010-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-11-16	授权	授权
2010-01-20	公开	公开

共 50 条

[1]

低电压带隙基准电压源 [P].

叶春 .

中国专利 :CN203232347U ,2013-10-09

[2]

高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源 [P].

白涛 ;

张瑾 ;

龙善丽 ;

吕江平 ;

武凤芹 ;

张紫乾 .

中国专利 :CN102393786B ,2012-03-28

[3]

带隙基准电压源 [P].

苗荟 ;

韩智毅 .

中国专利 :CN212032039U ,2020-11-27

[4]

带隙基准电压源 [P].

苗荟 ;

韩智毅 .

中国专利 :CN111562807A ,2020-08-21

[5]

一种带隙基准电压源启动电路及CMOS带隙基准电压源 [P].

梁仁光 ;

胡胜发 .

中国专利 :CN102004516B ,2011-04-06

[6]

三阶温度补偿CMOS带隙基准电压源 [P].

刘帘曦 ;

黄文斌 ;

沐俊超 ;

张怡 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN107300942A ,2017-10-27

[7]

带隙基准电压源电路和带隙基准电压源 [P].

贾晓伟 ;

邓龙利 ;

王帅旗 .

中国专利 :CN102622038A ,2012-08-01

[8]

一种CMOS带隙基准电压源 [P].

刘明 ;

张君宇 ;

张满红 ;

霍宗亮 ;

谢常青 ;

潘立阳 ;

陈映平 ;

刘阿鑫 .

中国专利 :CN102890526A ,2013-01-23

[9]

带隙基准电压源 [P].

陈鹏飞 ;

邓民明 ;

吴雪美 ;

刘涛 ;

杨晗 ;

王旭 .

中国专利 :CN120848676A ,2025-10-28

[10]

带隙基准电压源 [P].

张明昊 ;

周伟 ;

冯晓光 .

中国专利 :CN116931640B ,2025-11-04

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