三阶温度补偿CMOS带隙基准电压源

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710416192.8

申请日：

2017-06-06

公开(公告)号：

CN107300942A

公开(公告)日：

2017-10-27

发明(设计)人：

刘帘曦黄文斌沐俊超张怡杨银堂

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

G05F1567

IPC分类号：

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/567 申请日:20170606
2017-10-27	公开	公开
2019-03-08	授权	授权

共 50 条

[1]

高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源 [P].

白涛 ;

张瑾 ;

龙善丽 ;

吕江平 ;

武凤芹 ;

张紫乾 .

中国专利 :CN102393786B ,2012-03-28

[2]

高阶温度补偿带隙基准电压源 [P].

奚冬杰 ;

李现坤 ;

李健 .

中国专利 :CN106647916A ,2017-05-10

[3]

低电压CMOS带隙基准电压源 [P].

范涛 ;

袁国顺 .

中国专利 :CN101630176B ,2010-01-20

[4]

一种三阶补偿带隙基准电压源 [P].

方健 ;

吴杰 ;

杨毓俊 ;

陶垠波 ;

臧凯旋 ;

唐莉芳 ;

黎俐 ;

潘福跃 ;

谷洪波 .

中国专利 :CN102809979B ,2012-12-05

[5]

基于高阶温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源 [P].

吴建辉 ;

沈海峰 ;

樊婷 ;

顾俊辉 ;

张萌 ;

李红 ;

朱贾峰 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101901020A ,2010-12-01

[6]

带隙基准电压源 [P].

陈鹏飞 ;

邓民明 ;

吴雪美 ;

刘涛 ;

杨晗 ;

王旭 .

中国专利 :CN120848676A ,2025-10-28

[7]

一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源 [P].

范涛 ;

袁国顺 .

中国专利 :CN101533288A ,2009-09-16

[8]

一种指数温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源 [P].

吴建辉 ;

张理振 ;

温峻峰 ;

张萌 ;

李红 ;

王旭东 ;

白春风 ;

赵强 .

中国专利 :CN102495659B ,2012-06-13

[9]

曲率补偿低温漂带隙基准电压源 [P].

曾以成 ;

张东亮 ;

陈星燕 ;

邓玉斌 .

中国专利 :CN205405321U ,2016-07-27

[10]

带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源 [P].

范涛 ;

袁国顺 .

中国专利 :CN101923366A ,2010-12-22

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