高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110333713.6

申请日：

2011-10-28

公开(公告)号：

CN102393786B

公开(公告)日：

2012-03-28

发明(设计)人：

白涛张瑾龙善丽吕江平武凤芹张紫乾

申请人：

申请人地址：

215163 江苏省苏州市高新区龙山路89号

IPC主分类号：

G05F330

IPC分类号：

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

孙仿卫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-28	公开	公开
2013-07-31	授权	授权
2012-05-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101242113738 IPC(主分类):G05F 3/30 专利申请号:2011103337136 申请日:20111028
2018-10-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G05F 3/30 申请日:20111028 授权公告日:20130731 终止日期:20171028

共 50 条

[1]

高阶温度补偿带隙基准电压源 [P].

奚冬杰 ;

李现坤 ;

李健 .

中国专利 :CN106647916A ,2017-05-10

[2]

基于高阶温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源 [P].

吴建辉 ;

沈海峰 ;

樊婷 ;

顾俊辉 ;

张萌 ;

李红 ;

朱贾峰 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101901020A ,2010-12-01

[3]

一种高阶温度补偿的带隙电压基准源 [P].

周泽坤 ;

欧雪春 ;

朱培生 ;

石跃 ;

明鑫 ;

张波 .

中国专利 :CN102323842A ,2012-01-18

[4]

高阶温度补偿无电阻带隙基准电压源 [P].

周泽坤 ;

李涅 ;

张晓敏 ;

崔佳男 ;

石跃 ;

明鑫 ;

王卓 ;

张波 .

中国专利 :CN103412605B ,2013-11-27

[5]

三阶温度补偿CMOS带隙基准电压源 [P].

刘帘曦 ;

黄文斌 ;

沐俊超 ;

张怡 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN107300942A ,2017-10-27

[6]

一种具有高阶温度补偿的带隙基准电压源电路 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207067835U ,2018-03-02

[7]

一种具有高阶温度补偿的带隙基准电压源电路 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107045370A ,2017-08-15

[8]

一种基于高阶曲率补偿的带隙基准电压源 [P].

刘马良 ;

罗北 ;

刘润轩 ;

温一玮 ;

罗朋 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN120803195A ,2025-10-17

[9]

高阶补偿带隙基准电压源 [P].

张耀国 ;

何媛 ;

沈立 ;

程玉华 .

中国专利 :CN101833352A ,2010-09-15

[10]

具有高阶温度补偿的低温度系数带隙基准电压源 [P].

万美琳 ;

顾豪爽 .

中国专利 :CN105974991A ,2016-09-28

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